发明名称 | 铟锡氧化物的透明导电层状镀层 | ||
摘要 | 包含铟锡氧化物薄膜的透明导电装置,该装置通过提供铟锡氧化物薄膜来改进,该铟锡氧化物薄膜包含渐次变化的单个铟锡氧化物层的层叠,其中层中的锡的原子百分比可以单独选择。薄膜的每个铟锡氧化物层包含1-99原子百分比的锡。每层是通过物理气相沉积过程或者通过溅射镀膜来制作的。优选的是包含多个铟锡氧化物层的薄膜被施加到透明柔性衬底上诸如聚合物板。在该装置中可以包括任选的底层、硬镀膜层和上镀膜层。 | ||
申请公布号 | CN100430217C | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
申请号 | CN02813884.8 | 申请日期 | 2002.04.18 |
申请人 | CP菲林公司 | 发明人 | H·梅马里安;H·帕特尔 |
分类号 | B32B7/02(2006.01) | 主分类号 | B32B7/02(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 周慧敏;马崇德 |
主权项 | 1.一种包含透明衬底的多层电子装置,所述的透明衬底被镀有至少一个铟锡氧化物的透明导电薄膜,其中它的改进包括;所述的至少一个铟锡氧化物薄膜的铟与锡原子的比例在所述薄膜的整个厚度内是不均匀的,使得所述铟和锡原子被分配在所述薄膜的整个厚度内,从而形成了多个铟锡氧化物层,每个所述层具有有限的厚度,其中所述薄膜的每个所述铟锡氧化物层的厚度是5-10000埃,其中铟和锡的比例在整个所述有限厚度内是基本均匀的;前提条件是在至少一个所述层中的铟与锡的比例与另一所述层中的铟与锡的比例是不同的。 | ||
地址 | 美国弗吉尼亚州 |