非易失性存储器及其制造方法与操作方法,以及电路系统

摘要

本发明涉及一种非易失性存储器及其制造方法与操作方法，以及电路系统。该非易失性存储器包含设置于衬底上的存储单元，此存储单元具有第一单元、半导体层、第二单元与掺杂区。第一单元包含第一栅极、第一电荷陷入层与第二电荷陷入层，其中，第一电荷陷入层与第二电荷陷入层分别设置于第一栅极两侧。半导体层设置于衬底上，覆盖住第一单元。第二单元设置于半导体层上，以半导体层为对称轴，与第一单元镜像对称。第二单元包含了设置于半导体层上的第二栅极，以及分别设置于第二栅极两侧的第三电荷陷入层与第四电荷陷入层。掺杂区设置于半导体层两侧，用以作为第一单元与第二单元共用的源极/漏极区。

主权项

1.一种非易失性存储器，其特征在于包括：一存储单元，设置于一衬底上，包括：一第一单元，包括：一第一栅极；以及一第一电荷陷入层与一第二电荷陷入层，设置于该第一栅极两侧；一半导体层，设置于该衬底上，覆盖住该第一单元，且该半导体层的横向尺寸大于该第一单元的横向尺寸；一第二单元，设置于该半导体层上，以该半导体层为对称轴，与该第一单元镜像对称，该第二单元包括：一第二栅极，设置于该半导体层上；以及一第三电荷陷入层与一第四电荷陷入层，设置于该第二栅极两侧；以及一掺杂区，设置于该半导体层两侧，用以作为该第一单元与该第二单元共用的源极/漏极区。