| 发明名称 | 磁性增强的H掺杂Mn<SUB>x</SUB>Ge<SUB>1－x</SUB>磁性半导体薄膜 | ||
| 摘要 | 磁性增强的H掺杂Mn<SUB>x</SUB>Ge<SUB>1－x</SUB>磁性半导体薄膜，属于信息技术自旋电子材料领域。该发明通过向Mn<SUB>x</SUB>Ge<SUB>1－x</SUB>薄膜中掺杂H且其含量2at％－35at％，获得居里温度＞270K的磁性半导体薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101299368A | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200810014729.9 | 申请日期 | 2008.03.07 |
| 申请人 | 山东大学 | 发明人 | 颜世申;姚新欣;乔瑞敏;秦羽丰;孙毅彦;陈延学;刘国磊;梅良模 |
| 分类号 | H01F1/40(2006.01);H01F10/193(2006.01);H01F41/18(2006.01) | 主分类号 | H01F1/40(2006.01) |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许德山 |
| 主权项 | 1.H掺杂MnxGe1-x磁性半导体薄膜，其特征在于，该材料中掺杂有2at％-35at％的氢原子，x＝0.03-0.6。 | ||
| 地址 | 250100山东省济南市历下区山大南路27号 | ||