| 发明名称 | 金属氧化物半导体晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，首先提供已形成有栅极结构的基底，接着在栅极结构两侧的基底中形成源极/漏极延伸区，然后在基底上形成含碳的材料层，再回蚀此含碳的材料层以于栅极结构的侧壁上形成间隙壁，之后，于间隙壁两侧的基底中形成源极/漏极区，即完成金属氧化物半导体晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN100431116C | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200410039633.X | 申请日期 | 2004.03.12 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 王俞仁;颜英伟;刘恩慈 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括：提供一基底，该基底上已形成有一栅极结构；于该栅极结构两侧的该基底中形成一源极和漏极延伸区；于该基底上形成一含碳的氮化硅；回蚀该含碳的氮化硅，以于该栅极结构的侧壁上形成一间隙壁；以及于该间隙壁两侧的该基底中形成源极和漏极区。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||