发明名称 垂直型发光二极管及其制造方法
摘要 一种垂直型发光二极管及其制造方法。在垂直型发光二极管的制造方法中,先提供蓝宝石基板。再在蓝宝石基板上形成发光外延结构。接下来,在发光外延结构的表面上形成第一电性电极。接着,进行局部移除步骤,通过将部分蓝宝石基板从发光外延结构的另一表面上移除,从而暴露出发光外延结构另一表面的一部分,其中发光外延结构的另一表面与第一电性电极所在的表面相对。然后,在发光外延结构另一表面的暴露部分上形成第二电性电极,其中第一电性电极与第二电性电极的电性相反。
申请公布号 CN100431183C 申请公布日期 2008.11.05
申请号 CN200510117344.1 申请日期 2005.11.02
申请人 元砷光电科技股份有限公司;陈锡铭 发明人 陈锡铭
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 徐金国;梁挥
主权项 1、一种垂直型发光二极管的制造方法,其特征在于,至少包括:提供一蓝宝石基板;在所述蓝宝石基板上形成一发光外延结构;在所述发光外延结构的一个表面上形成一第一电性电极;对所述蓝宝石基板进行两道切割以得到需移除部分的蓝宝石基板;进行剥离步骤,以将所述需移除部分的蓝宝石基板剥离所述发光外延结构的另一个表面,从而暴露出所述发光外延结构的所述另一表面的一部分,其中,所述发光外延结构的所述另一表面与所述表面相对;以及在所述发光外延结构的所述另一表面的暴露部分上形成一第二电性电极,其中,所述第一电性电极与所述第二电性电极的电性相反,使得所述发光外延结构发出的光从剩余部分的蓝宝石基板部分取出。
地址 中国台湾台南县台南科学工业园区大顺九路十六号