| 发明名称 | 具有降低了的位错缺陷密度的晶格失配的半导体结构和相关的器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种利用具有基本上耗尽了的线位错的上部的有限面积区域制造单片晶格失配的半导体异质结构的方法，以及基于这种晶格失配异质结构制造半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101300663A | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200680023212.5 | 申请日期 | 2006.05.17 |
| 申请人 | 琥珀波系统公司 | 发明人 | 安东尼·J·洛赫特费尔德;马修·T·柯里;程志渊;詹姆斯·菲奥里扎;格林·布雷恩维特;托马斯·A·郎杜 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭放 |
| 主权项 | 1、一种形成半导体异质结构的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供具有表面并包括第一半导体材料的衬底；(b)在衬底上方提供位错阻挡掩模，该掩模包括电介质材料和具有延伸至衬底表面并由至少一个侧壁限定的开口，侧壁的至少一部分以与第一半导体材料的选定结晶学方向成方向角的方式与衬底表面相交；(c)在开口内淀积包括第二半导体材料的再生长层，方向角使再生长层中的线位错密度随离衬底表面距离的增加而降低。 | ||
| 地址 | 美国新罕布什尔 | ||