| 发明名称 | 用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101300320A | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200580051984.5 | 申请日期 | 2005.12.27 |
| 申请人 | 第一毛织株式会社;三星电子株式会社 | 发明人 | 郑载薰;李仁庆;崔源永;李泰永;梁智喆 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01) | 主分类号 | C09K3/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周建秋;王凤桐 |
| 主权项 | 1、一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物，该组合物含有：(a)金属氧化物；(b)季铵碱；和(c)如式1所示的氟类表面活性剂：CF3(CF2)nSO2X (1)其中，n为1-20，X为COOR、RO、(OCH2CH2)n′或(OCH2CH(OH)CH2)n′，R为C1-20烷基，n′为1-100。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||