在基底表面构筑抗反射结构的方法

摘要

本发明涉及利用LB技术或自组装技术在单晶硅基底上形成有机分子单层膜图案，并以此单层膜图案为掩模，进行湿法刻蚀，在单晶硅表面形成具有亚波长锥形结构的表面，从而使单晶硅基底具有抗反射性能的方法。通过本专利所述法得到的材料表面，在400～2400nm波长的范围内，可以得到小于5％的反射率。该基底表面能有效地避免光的反射，提高光能利用率，降低不需要的反射干扰，提高传感灵敏度。本专利所述方法构筑抗反射结构具有成本低、工艺简单、产率高的特点，具有较强的实用性。这种具有亚波长锥形结构的表面有很好的抗反射性能，因此在太阳能电池、白光传感显示器、光电器件、光学镜片等方面具有极为重要的应用。

主权项

1、在基底表面构筑抗反射结构的方法，其步骤如下：A，选取单晶硅基底，对基底进行清洁处理；B，通过LB技术或自组装技术在单晶硅基底的表面构筑出有机分子单层膜的岛状图案，岛的高度2～5nm，相邻两岛中心距离为500nm～15μm；C，在碱性溶液中对有机分子单层膜图案的基底进行刻蚀，通过改变碱性溶液的浓度、温度和刻蚀时间来调控刻蚀的深度、形状，得到锥形或倒锥形的具有抗反射性能的结构表面；