制造半导体器件的方法

摘要

本发明的方法公开了一种制造诸如横向高电压场效应(HV－FET)晶体管之类的半导体器件的更加便宜的方法。该方法包括：第一导电类型(1)的衬底，－注入第一掺杂物，从而在衬底中形成第二导电类型的第一区域(2)，(并对其进行扩散)，－形成第一导电类型的第二区域(3)，第一区域(2)和第二区域(3)形成pn结。第二区域(3)是通过在衬底的表面(4)注入第二掺杂物而形成的表面层。－随后，表面层由在表面层(3)上形成的第一导电类型的第一外延层(5)覆盖。在对布置在彼此顶部的一个或多个区域进行制造时，可避免使用昂贵的高能量注入机(MeV)，从而使成本降低。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其包括：-具有一个表面(4)的第一导电类型(1)的衬底，a)注入第一掺杂物，从而在所述衬底中形成第二导电类型的第一区域(2)，b)在所述第一区域中注入第二掺杂物，从而形成所述第一导电类型的第二区域(3)，所述第一区域(2)和所述第二区域(3)形成pn结，其特征在于，所述第二区域(3)是通过在所述衬底的所述表面(4)注入所述第二掺杂物而形成的表面层，并且随后所述表面层通过以下步骤被覆盖c)在所述表面层(3)上形成所述第一导电类型的第一外延层(5)。