低介电氮化硅膜的形成方法和半导体器件及其制造工艺

摘要

一种形成氮化硅膜的方法包括用具有有机硅氮烷键的有机Si化合物作为气体源的CVD工艺。该CVD工艺是在有机Si源中的有机硅氮烷键保持在氮化硅膜中的条件下进行的。

主权项

1、一种形成氮化硅膜的方法，包括以下步骤：将衬底引入反应室中；将其中具有有机硅氮烷键的有机Si化合物输送到所述处理室中，作为气体源；向所述气体源输送能量；和利用CVD工艺，在所述衬底的表面上利用所述气体源淀积含有Si、N、C和H作为基本构成元素的SiNCH膜，其中，在向所述气体源输送能量时分配到所述气体源的气体分子的能量在所述硅氮烷键的结合能以下，所述SiNCH膜的比介电常数在3.5以上5.5以下。