半导体集成电路器件及其制造方法

摘要

在所有的PMOS晶体管的数量相对都大于NMOS晶体管并且PMOS晶体管被用作输出驱动器的半导本集成电路中，提供一种具有良好稳定性、可靠性、和性能，而且低成本的半导体集成电路器件，及其制造方法。在这种半导体集成电路器件中，互补MOS电路是由水平的P型MOSFET(36)和N型MOSFET(37)组成的，输出驱动器是由具有沟结构的P型垂直MOSFET(38)组成的，并且相应各MOSFET的栅电极的导电类型被设置为P型。

主权项

1.一种半导体集成电路器件，包括：半导体衬底；形成在该半导体衬底上的水平MOS晶体管并且其中源区和漏区都位于水平方向；和形成在该半导体衬底上的垂直MOS晶体并且其中源区和漏区都位于深度方向；其中，水平MOS晶体管和垂直MOS晶体管的每个的栅极的导电类型是P型；其中，所述水平MOS晶体管和垂直MOS晶体管的每个的P型栅极是由第一多晶硅制成的，其中，垂直MOS晶体管包括：从半导体衬底的主表面形成的凹进部分；覆盖凹进部分内的侧表面和底表面的栅绝缘膜；与栅绝缘膜接触并掩埋在凹进部分的栅电极；位于凹进部分的外侧、与凹进部分接触、并形成在半导体衬底的表面的高浓度源区；与凹进部分接触、围绕高浓度源区、被形成得深于高浓度源区和浅于凹进部分的内底面的主体部分，并且具有与高浓度源区相反的导电类型；和与凹进部分、高浓度源区、和主体区分离，并形成在半导体衬底的主表面的高浓度漏区。