一种垂直栅极结构的发光晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种垂直栅极结构的发光晶体管及其制备方法。本发明的发光晶体管，在衬底上依次生长着缓冲层、高浓度n型层、本征层、多量子阱层、p型层；缓冲层、高浓度n型层和本征层的外侧依次包裹着氧化物层和金属铝层，在高浓度n型层形成源电极，在p型层上设置着漏电极，栅电极与金属铝层相连。本发明的垂直栅极结构的发光晶体管，栅极区在晶体管侧面外围，形成的沟道均匀，本征层不会形成短沟道效应，耐压性能得到提高。

主权项

1、一种垂直栅极结构的发光晶体管，其特征在于：在衬底(9)上依次生长着缓冲层(8)、高浓度n型层(7)、本征层(6)、多量子阱层(3)、p型层(2)；在p型层(2)、多量子阱层(3)和本征层(6)的外侧开有第一凹口(15)，第一凹口(15)上设置着与高浓度n型层(7)相连的源电极(11)；缓冲层(8)、高浓度n型层(7)和本征层(6)的外侧依次包裹着第一氧化物层(4)和第一金属铝层(5)，第一凹口(15)的外侧除外；在p型层(2)和多量子阱层(3)的侧边开有第二凹口(14)，在第二凹口(14)上生长着第二氧化物层(41)，第一氧化物层(4)与第二氧化物层(41)相连；第二氧化物层(41)上面生长着第二金属铝层(51)，第一金属铝层(5)与第二金属铝层(51)相连；第二氧化物层(41)和第二金属铝层(51)与多量子阱层(3)不相连；在p型层(2)上设置着漏电极(1)，在第二金属铝层(51)上设置着栅电极(12)。