半导体装置及其制造方法

摘要

具备有电晶体电路与泄流器电阻电路之半导体装置，系为了抑制泄流器电阻之电阻值的变动，而设为以下之构成。具备有：在电晶体构造上，隔着层间绝缘膜107，而作为金属膜来层积阻障金属膜104以及配线膜103所成的电晶体电路，和在藉由多晶矽膜所成之泄流器电阻102之上，隔着层间绝缘膜107，而作为金属膜来层积配线膜103，并仅将与泄流器电阻102相接合之部分设为了阻障金属膜104的泄流器电阻电路。对身为多晶矽膜之泄流器电阻102所造成的应力系变少，而能够抑制泄流器电阻102之电阻值变动。又，针对作为电晶体电路之配线而被使用的金属膜，由于系存在有阻障金属膜，因此不会有损及配线之信赖性的情况。