| 摘要 |
本发明揭示一种具有改良性质之高压半导体装置，例如RESURF电晶体，其包括减少的开启状态电阻。该装置包括：一半导体基板；提供于该基板中之一源极区域与一汲极区域；其中该源极区域与该汲极区域系彼此横向间隔；以及该基板中该源极区域与该汲极区域之间之一漂移区域。该漂移区域包括：一结构，其具有延伸于该源极区域与该汲极区域之间的至少两个间隔的沟渠电容器；并进一步包括一堆叠，其具有至少一第一导电率类型之一第一区域、一第二导电率类型之一第二区域及该第一导电率类型之一第三区域，其中该堆叠延伸于该源极区域与该汲极区域之间及该至少第一与第二沟渠电容器之间并与该等第一与第二沟渠电容器电连接。当该装置处于一开启状态时，电流在该等源极与汲极区域之间流过该第二导电率类型之该第二区域；而当该装置处于一关闭/阻隔状态时，该第二导电率区域系四向地空乏于该堆叠之该等第一与第三区域中及该等第一与第二沟渠电容器中。 |
