一种形成堆叠电容的方法

摘要

一种形成堆叠电容的方法，包含：提供一基材，其上依序有底层、经掺杂矽玻璃层、未掺杂矽玻璃层与顶层；以顶层作为硬遮罩层与基材作为第一蚀刻停止层进行乾蚀刻制程，于底层、经掺杂矽玻璃层以及未掺杂矽玻璃层中形成渐缩的沟渠；移除顶层后进行选择性湿蚀刻制程，以移除部分之经掺杂矽玻璃层；顺应性的沉积多晶矽层后，将第二沟渠填满牺牲层；移除未被牺牲层覆盖之多晶矽层并去除牺牲层；以底层作为第二蚀刻停止层进行湿蚀刻制程，以移除未掺杂矽玻璃层与经掺杂矽玻璃层；进行静态乾燥法；沉积一介电层以及一导电材料以形成堆叠电容。