应用ＨＤＰ淀积的源－体注入阻挡块的器件结构及制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体功率器件。该沟道半导体功率器件包括沟道栅，该沟道栅从半导体衬底的顶表面开口并由源区域包围，该源区域在漏区域上方的顶表面附近被包围在体区域中，该漏区域设置在衬底的底表面上。该半导体功率器件进一步包括设置在体区域边上的台面区域的顶表面上方，并具有基本大于0.3微米厚度的注入离子阻挡块，用以阻挡体注入离子和源离子进入台面区域下方的衬底，由此用于制造半导体功率器件的掩模数能够得以减少。