半导体装置之制造方法及制造装置以及记忆媒体

摘要

本发明提供一种半导体装置之制造方法，该方法在采用向含铜金属膜之表面导入Si，并将该部分氮化而形成CuSiN阻障层之技术时，不易产生对层间绝缘膜之损伤及因曝露于大气而引起之水分吸附。其解决方法系藉由如下步骤，即：准备在表面露出含铜金属膜状态之半导体基板，藉由自由基或热化学之方法清洁化处理含铜金属膜之表面，向含铜金属膜之表面导入Si，及藉由自由基氮化含铜金属膜之导入Si部分来制造半导体装置时，不破坏真空而连续进行清洁化处理步骤、Si导入步骤及氮化步骤。