静电放电保护元件结构

摘要

一种静电放电保护元件结构，此结构包括半导体基版/井、第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区。第一掺杂区配置于半导体基版/井，并掺杂一第一掺质。第二掺杂区配置于半导体基版，掺杂一第二掺质，其中第二掺杂区与第一掺杂区相距一预定距离。第三掺杂区配置于第一掺杂区，并掺杂第二掺质。此结构可解决二极体的逆向恢复，并增加静电放电保护电路整体的保护效果。