具有高度光取出率之半导体发光元件

摘要

本发明揭露一种半导体发光元件及其制造方法。根据本发明之半导体发光元件包含一基板、一多层结构、一最顶层以及至少一个电极。该多层结构系形成于该基板上并且包含一发光区。该最顶层系形成于该多层结构上，并且该最顶层之侧壁之下部份呈现一第一表面形态，该第一表面形态系与一第一图案相关。此外，该最顶层之侧壁之上部份呈现一第二表面形态，该第二表面形态系与一第二图案相关。该至少一个电极系形成于该最顶层上。因此，根据本发明之半导体发光元件，其侧壁呈现一表面形态，因此能增加侧边光取出之表面积，以提高半导体发光元件的光取出效率。