多层半导体结构及其制作方法

摘要

本发明揭示一种多层半导体结构之制作方法，其包含下列步骤：首先，提供一包含第一半导体元件结构之第一晶圆，及一包含一晶圆基板及一单晶矽层之第二晶圆。其次，接合该第一及第二晶圆，其中建构有该第一半导体元件结构之第一晶圆之表面系接触包含该单晶矽层之第二晶圆之表面。该第一晶圆及第二晶圆可利用一介电层及一接合胶层加以接合。之后，于该单晶矽层进行第二半导体元件结构之制程。