非挥发性记忆体之布局结构及其制作方法

摘要

一种非挥发性记忆体之布局结构的制作方法，此方法是先提供基底，其具有字元线区域、选择闸极区域以及源极线区域。然后，于基底上依序形成穿隧介电层、第一导体层与闸间介电层。接着，移除选择闸极区域的部分闸间介电层，以形成开口。之后，于基底上形成第二导体层且其填满开口以连接第一导体层。继之，于第二导体层上形成光阻层。随后，进行第一曝光制程形成关键尺寸一致的曝光区，接着再进行第二曝光制程完成制程布局所设计之曝光图案。之后，更可进行制造字元线区域之多个堆叠闸极结构以及选择闸极区域之选择闸极结构的制程。