半导体记忆装置

摘要

抑制记忆格之读出特性之劣化之同时，实现读出时之字元线之上升速度之高速化，而且缩小字元线电压供给电路之元件尺寸。于电压供给电路WSC设置：第1电压供给电路WSC1，其将驱动器电源电压LCVDD预充电至记忆格MC之电源电压位准VDD；及第2电压供给电路WSC2，其对驱动器电源电压LCVDD供给较记忆格之电源电压位准VDD低的电压。