发明名称 | 一种动态随机存取记忆体单元结构 | ||
摘要 | 一种动态随机存取记忆体单元结构,包含:基材;位于基材中之闸极沟渠;嵌入闸极沟渠中之闸极结构;设于基材中并与闸极沟渠之一侧相邻之源极掺杂区;设于基材中并与闸极沟渠另一侧相邻之汲极掺杂区;与汲极掺杂区相邻之沟渠电容,其包含导电层与侧壁;介于汲极掺杂区与源极掺杂区间之闸极通道;设于基材表面用来电连接汲极掺杂区与沟渠电容的导电层之表面导电带;以及覆盖闸极结构、源极掺杂区、与表面导电带之介电层。 | ||
申请公布号 | TW200843088 | 申请公布日期 | 2008.11.01 |
申请号 | TW096114621 | 申请日期 | 2007.04.25 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 李宗翰;郑志浩;陈德荫;李中元 |
分类号 | H01L27/108(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |