非挥发记忆体单元之低电压程式化系统与方法

摘要

本发明揭示一种藉由下列操作而程式化在一记忆体阵列中一选定非挥发记忆体单元的低电压方法及系统，其中该记忆体阵列具有一闸极节点耦合至一字线WL(n)及一汲极节点连接至一选定位元线：自一注入记忆体单元的一汲极区域将热载子注入该字线WL(n)上该选定非挥发记忆体单元的一浮动闸极中，其中该注入记忆体单元具有一闸极节点耦合至一下一邻接字线WL(n-1)。