改善传输性能的金属导线结构及其制造方法

摘要

本发明系利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)，将氮化钛(TiN)形成的薄膜沉积在该半导体铝铜合金导线的侧壁上，经过非等向反应性离子蚀刻(anisotropy RIE)后可以增加金属导线的传输性能，和增加金属通道边缘的覆盖性，此举不但可降低铝化铜金属导线的电阻值，还可有效地增加电子流。