| 发明名称 | 具有双离子布植的ＰＭＯＳ结构及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明系揭露一种具有双离子布植的PMOS结构及其方法，其包括一N型半导体基底，一闸极氧化层，一多晶矽闸极，且有一源/汲极位于N型半导体基底内，其系由较深的硼离子掺杂区与其内较浅的氟化硼离子掺杂区所组成。 | ||
| 申请公布号 | TW200843106 | 申请公布日期 | 2008.11.01 |
| 申请号 | TW096115154 | 申请日期 | 2007.04.27 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张军 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林火泉 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 中国 | ||