温度控制方法、温度调节器及加热处理装置

摘要

本发明的目的在于：对复数之半导体晶圆等的基板进行热处理时，抑制基板间稳定加热时间的差异，以防止品质参差不齐。为达成上述目的，吾人在装设于对基板涂布光阻以形成光阻膜并对曝光后的光阻膜进行显影的涂布显影系统内，且在该基板载置于加热板上的状态下对该基板进行热处理的热处理单元中，测量该加热板的温度，控制该加热板的温度，使测量温度与目标温度一致，并取得用来调整加热板温度从初期温度附近的第1温度开始到达该目标温度附近的第2温度为止的到达时间所必要的调整数据，并根据所取得的调整数据，在该基板处理开始后，调整该目标温度。