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发明名称
垂直式场效电晶体及其制备方法
摘要
本发明提出一种垂直式场效电晶体,其包含一具有一阶梯结构之基板、二个设置该阶梯结构两侧之基板中的掺杂区以及一设置于该二掺杂区间之基板中的载子通道,其中该阶梯结构具有一斜边且该载子通道在该阶梯结构处之宽度大于该二掺杂区之宽度。该阶梯结构包含二个非矩形面(例如梯形或三角形)以及一连接该非矩形面之矩形面,该非矩形面连接该掺杂区,且该矩形面垂直该非矩形面。
申请公布号
TW200843105
申请公布日期
2008.11.01
申请号
TW096114534
申请日期
2007.04.25
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
汤铭;陈绪全
分类号
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01)
主分类号
H01L29/78(2006.01)
代理机构
代理人
王宗梅
主权项
地址
新竹市科学工业园区力行路19号3楼
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