发明名称 | 增进焊线接合强度之半导体封装制程与半导体封装构造 | ||
摘要 | 揭示一种增进焊线接合强度之半导体封装制程与一种半导体封装构造。依据该制程,形成一金属增厚层于一晶片之复数个焊垫上,以增加该些焊垫之厚度。接着,测试该晶片,并同时藉由复数个测试探针而形成复数道测试刮痕于该金属增厚层。之后,进行黏晶与打线步骤,所形成之复数个焊线系电性连接该些加厚焊垫至一载体,其中该些焊线之一端系接合至该金属增厚层更嵌埋至该些测试刮痕,以增进焊线接合强度。 | ||
申请公布号 | TW200842997 | 申请公布日期 | 2008.11.01 |
申请号 | TW096113554 | 申请日期 | 2007.04.17 |
申请人 | 力成科技股份有限公司 | 发明人 | 吴智伟;徐宏欣 |
分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L23/48(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许庆祥 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号 |