一种大功率铟镓氮ＩｎＧａＮ白光晶粒

摘要

本发明涉及一种直接制作白光晶粒方法，两种架构可以直接制作白光晶粒，第一种：倒装焊(Flip chip)晶粒的电极与矽基板贴合后，利用分隔制具，将萤光粉直接涂布于发光表面，将矽基板切割后形成直接发白光的倒装焊白光发光晶粒。第二种：垂直架构(Vertical type)晶粒与金属基板贴合后，利用分隔制具，将萤光粉直接涂布于负型氮化镓发光表面，将金属基板切割后形成直接发白光的垂直架构白光发光晶粒。