发明名称 信赖性高之薄膜电晶体的制作方法
摘要 一种信赖性高之薄膜电晶体的制作方法,包含下列步骤:(a)于一透光性基材之一第一表面上形成一由非晶矽所构成之主动层;(b)形成一闸极介电层以覆盖该主动层;(c)于该闸极介电层上形成一与该主动层对应设置之闸极层;(d)对该主动层施予离子布值以于该主动层定义出一源极区及一汲极区;(e)形成一保护层以覆盖该闸极层与闸极介电层;(f)利用微影蚀刻与薄膜制程以形成复数分别连通该源极区、汲极区与闸极层的接点插塞;及(g)自该透光性基材之一相反于该第一表面的第二表面施予雷射照射,以对该主动层进行结晶化并对该源极区与汲极区完成载子活化。
申请公布号 TW200842987 申请公布日期 2008.11.01
申请号 TW096115373 申请日期 2007.04.30
申请人 国立中山大学 发明人 张鼎张;涂峻豪;刘柏村;冉晓雯;张俊彦
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 高雄市鼓山区莲海路70号