具渐变式超晶格结构的太阳电池

摘要

一种太阳电池，包括数个堆叠式pn接合结构及数个穿隧接面层，其中穿隧接面层是位于堆叠式pn接合结构之间。而且，在堆叠式pn接合结构中有一个堆叠式pn接合结构至少包括一层p型半导体层、一层n型半导体层以及位于p型与n型半导体层之间的一层渐变式超晶格结构。这层渐变式超晶格结构的能隙是介于磷化铟镓(InGaP)的能隙和砷化镓(GaAs)的能隙之间。因此能将波长响应范围提高至1.0eV，以增加波长响应频谱，并且因为渐变式超晶格结构，此区域载子所碰到的能障较小并容易跨越能障，故可增加效率。