发明名称 | 减轻冲击应力之记忆体模组 | ||
摘要 | 一种减轻冲击应力之记忆体模组,主要包含一多层印刷电路板、复数个记忆体封装件以及一应力吸收被覆层。该些记忆体封装件系设置于该多层印刷电路板之至少一表面。该应力吸收被覆层系至少形成于该多层印刷电路板之两短侧边并延伸至其上下表面,藉以减轻冲击应力。较佳地,该应力吸收被覆层更形成于该多层印刷电路板之远离金手指之一长侧边。 | ||
申请公布号 | TW200842649 | 申请公布日期 | 2008.11.01 |
申请号 | TW096114689 | 申请日期 | 2007.04.25 |
申请人 | 力成科技股份有限公司 | 发明人 | 范文正 |
分类号 | G06F21/02(2006.01) | 主分类号 | G06F21/02(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许庆祥 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号 |