半导体装置

摘要

本发明的目的系提供一种谋求在同一个半导体装置内具备有电容元件以将装置整体小型化，并且具备有静电容量比以往还大的电容元件之半导体装置。在半导体基板2的表面上形成半导体积体电路1与焊垫电极4。在半导体基板2的侧面及背面上形成第二绝缘膜10，在半导体基板2的背面与第二绝缘膜10之间形成与半导体基板2的背面接触之电容电极9。第二绝缘膜10系被与焊垫电极4电性连接的配线层11所覆盖，且配线层11与电容电极9两者系隔着第二绝缘膜10而重叠。因此，系由电容电极9、第二绝缘膜10、以及配线层11形成电容16。