半导体元件

摘要

本发明提供具有多种鳍状物高度之半导体元件。藉由利用多个罩幕将沟槽中的介电层进行凹蚀，以提供多种鳍状物高度。在另一实施例中，利用布植模型或电子束微影以在光阻材料中形成沟槽的图案。接着蚀刻步骤在位于下层的基底中形成相对应的沟槽。在另一实施例中，使用多个罩幕层以分别蚀刻出不同深度的沟槽。藉由离子布植与之后的退火，可在沟槽底部形成介电区以隔开鳍状物。