发明名称 半导体元件之制造方法
摘要 一种半导体元件之制造方法。首先,将一第一晶圆接合至一第二晶圆。接着,沿着第一晶圆和第二晶圆间之外缘的未填满区域填入一填充材料,其中填充材料在薄化和传送制程中,沿着边缘提供支撑,以减少碎裂或缺角,可对填充材料进行固化,以减少施加填充材料产生之气泡。接着,可藉由研磨制程、电浆蚀刻制程、湿蚀刻制程或类似之技术薄化第二晶圆。在一些实施例中,可重复上述步骤数次,以形成一包括三个或更多晶圆之堆叠晶圆结构。
申请公布号 TW200842933 申请公布日期 2008.11.01
申请号 TW096127962 申请日期 2007.07.31
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 杨固峰;吴文进;邱文智;余振华
分类号 H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/02(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号