制作半导体装置的方法

摘要

本发明提供一种制作半导体装置的方法。首先，提供一半导体基底以及一设于半导体基底上的介电层。之后蚀刻介电层，以于介电层中形成一孔洞结构。接着，进行一除气制程，于除气制程中对半导体基底进行一紫外光处理，使介电层中所含之至少一气体逸出，再于孔洞结构之侧壁与底部形成一阻障层。随后于孔洞结构中填充一导电材料。由于紫外光处理具有良好的除气效果，可以使所形成的半导体装置具有良好结构。