双位元存取快闪记忆体胞结构及其制造方法

摘要

一种双位元存取快闪记忆体胞结构，包含有一半导体基底；一闸极氧化层；一T型闸极，设于该闸极氧化层上；一第一电荷储存层，设于该T型闸极的一侧，且位于该T型闸极下方；一第二电荷储存层，设于该T型闸极的另一侧，且位于该T型闸极下方，其中该第一电荷储存层与该第二电荷储存层被该T型闸极的底部以及该闸极氧化层所隔开；一绝缘层，设于该T型闸极与该闸极氧化层之间；一第一汲极/源极掺杂区，设于该T型闸极一侧的该半导体基底内；以及一第二汲极/源极掺杂区，设于该T型闸极另一侧的该半导体基底内。