混合定向结构之次设计规则浅沟渠隔离区填充物

摘要

本发明提供一种混合定向(HOT)绝缘层上半导体(SOI)结构，其具有一隔离区(例如一浅沟槽隔离区(STI))，以及提供一种容易控制之形成STI结构之方法。形成隔离区之方法包含：蚀刻绝缘材料(其对半导体材料有选择性)、接着蚀刻半导体材料(其对绝缘材料有选择性)、且接着以CVD氧化物填充任何高深宽比间隙、以及以HDP氧化物填充剩下的STI。