DISPOSICION ESTRATIFICADA A BASE DE CAPAS SEMICONDUCTORAS UNIDAS HETEROGENEAMENTE, CON POR LO MENOS UNA CAPA SEPARADORA INTERCALADA, Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.

摘要

Disposición estratificada a base de capas semiconductoras unidas heterogéneamente sobre un substrato, con por lo menos una capa separadora intercalada que tiene una estructura previamente establecida de rejillas estratificadas, para la separación mecánica definida de las capas semiconductoras mediando participación de un calcógeno en todas las capas: caracterizada porque el substrato (2) está revestido con una película metálica (3) y la capa separadora (4) está estructurada como capa de dicalcogenuro metálico mediando participación del metal procedente de la película metálica (3) y del calcógeno procedente de por lo menos una capa semiconductora (6), y tiene una estructura de vasos (5) doblada y continua, con una estructura de rejillas estratificadas (del tipo I) formada perpendicularmente a ésta en la transición hacia la película metálica (3) y con una estructura de rejillas estratificadas (del tipo II) formada paralelamente a ésta en la transición hacia la capa semiconductora (6), pudiéndose efectuar la separación mecánica sin dejar residuos con respecto de la capa semiconductora (6).