摘要 |
<p>Verbund von Schichten, welcher eine dielektrische Schicht und eine mit der dielektrischen Schicht verbundene, pyrogenes Zinkoxid enthaltende Schicht umfasst. Verfahren zur Herstellung des Verbunden von Schichten, bei dem man das pyrogene Zinkoxid in Form einer Dispersion, in der die Zinkoxidpartikel mit einem mittleren Aggregatdurchmesser von weniger als 200 nm vorliegen, auf die dielektrische Schicht aufbringt, die Zinkoxidschicht trocknet und nachfolgend bei Temperaturen von weniger als 200°C behandelt. Verfahren zur Herstellung des Verbundes von Schichten, bei dem man das pyrogene Zinkoxid in Form einer Dispersion, in der die Zinkoxidpartikel mit einem mittleren Aggregatdurchmesser von weniger als 200 nm vorliegen, unter Bildung einer Zinkoxidschicht auf eine Substratschicht oder einen Verbund von Substratschichten aufbringt und nachfolgend die Zinkoxidschicht und die Substratschicht bei Temperaturen von weniger als 200°C behandelt und nachfolgend auf die Zinkoxidschicht eine dielektrische Schicht aufbringt. Feldeffekttransistor, welcher den Verbund von Schichten aufweist.</p> |
申请人 |
EVONIK DEGUSSA GMBH;FORSCHUNGSZENTRUM KARLSRUHE GMBH |
发明人 |
PETRAT, FRANK-MARTIN;THIEM, HEIKO;HILL, SVEN;EBBERS, ANDRE;OKAMURA, KOSHI;SCHMECHEL, ROLAND |