发明名称 |
Verfahren zur Überprüfung von Isoliergrabenätzungen in SOI-Scheiben mittels einer Teststruktur |
摘要 |
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申请公布号 |
DE10317748(B4) |
申请公布日期 |
2008.10.30 |
申请号 |
DE20031017748 |
申请日期 |
2003.04.17 |
申请人 |
X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG |
发明人 |
LERNER, RALF |
分类号 |
H01L21/764;H01L21/308;H01L21/66;H01L21/84;H01L23/544 |
主分类号 |
H01L21/764 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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