Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen

摘要

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge, die eine zur Erzeugung von elektro-magnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht aufweist, und einer ersten und einer zweiten elektrischen Anschlussschicht angegeben, wobei der Halbleiterkörper zur Emission elektro-magnetischer Strahlung von einer Vorderseite vorgesehen ist, die erste und die zweite elektrische Anschlussschicht an einer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite angeordnet und mittels einer Trennschicht elektrisch gegeneinander isoliert sind, die erste elektrische Anschlussschicht, die zweite elektrische Anschlussschicht und die Trennschicht lateral überlappen und sich ein Teilbereich der zweiten elektrischen Anschlussschicht von der Rückseite durch einen Durchbruch der aktiven Schicht hindurch in Richtung zur der Vorderseite hin erstreckt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Halbleiterkörpers angegeben.