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Die Erfindung betrifft ein Nitrid-Halbleiterbauelement mit einer Gruppe-III-Nitrid-Schichtstruktur, die auf einem Substrat mit einer Gruppe-IV-Substratoberfläche eines Gruppe-IV-Substratmaterials mit kubischer Kristallstruktur abgeschieden ist. Die Gruppe-IV-Substratoberfläche weist ohne Berücksichtigung einer Oberflächenrekonstruktion eine Elementarzelle mit einer C2-Symmetrie, jedoch mit keiner höheren Rotationssymmetrie als der C2-Symmetrie auf. Dadurch wird ein hochwertiges, einkristallines Wachstum erzielt. Der Vorteil liegt in einer hohen erzielbaren Kristallqualität, dem Wachstum von c-, a- und m-planem GaN und vor allen Dingen in der oder teilweise zu entfernen, da dies nasschemisch lich ist.
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