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Die vorliegende Erfindung ist darauf gerichtet ein Waferpolieraufzeichnungsverfahren und eine Vorrichtung zur Detektierung des Endpunkts der Polierung eines leitenden Films mit hoher Präzision bereitzustellen, wobei die Variation der Filmdicke des leitenden Films ohne nachteiligen Einfluss von Poliermasse oder Ähnlichem aufgezeichnet wird, nachdem die Filmdicke des leitenden Films auf eine sehr schmale Filmdicke abgenommen hat, die von der Skin-Tiefe definiert ist. Zur Lösung dieser Aufgabe stellt die vorliegende Erfindung ein Waferpolieraufzeichnungsverfahren bereit, bei dem ein Hochfrequenzübertragungspfad in einem Abschnitt bereitgestellt wird, der dem leitenden Film auf der Oberfläche des Wafers zugewandt ist, wobei der Zustand der Polierung und Entfernung des leitenden Films evaluiert wird und zwar auf der Basis wenigstens von übertragenen elektromagnetischen Wellen, die durch den Hochfrequenzübertragungspfad führen oder von reflektierten elektromagnetischen Wellen, die ohne durch den Hochfrequenzübertragungspfad zu führen, reflektiert werden, wobei der Endpunkt der Polierung und Entfernung des leitenden Films und der Punkt, der mit dem Endpunkt und der Polierung des leitenden Films äquivalent ist, detektiert wird.
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