| 发明名称 |
LOW TRIGGERING N MOS TRANSISTOR FOR ESD PROTECTION WORKING UNDER FULLY SILICIDED PROCESS WITHOUT SILICIDE BLOCKS |
| 摘要 |
<p>LOW TRIGGERING N MOS TRANSISTOR FOR ESD PROTECTION WORKING UNDER FULLY SILICIDED PROCESS WITHOUT SILICIDE BLOCKS</p> |
| 申请公布号 |
SG146446(A1) |
申请公布日期 |
2008.10.30 |
| 申请号 |
SG20060036263 |
申请日期 |
2002.02.15 |
| 申请人 |
NANO SILICON PTE. LTD. |
发明人 |
HU DAVID;CAI JUN |
| 分类号 |
H01L27/02;(IPC1-7):H01L23/62 |
主分类号 |
H01L27/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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