| 发明名称 | 金属源极/漏极肖特基势垒悬空硅MOSFET器件及其方法 | ||
| 摘要 | 提供一种肖特基势垒MOSFET(SB－MOS)器件和在沟道区中制造悬空硅(SON)架构的方法。更具体地说，金属源极/漏极SB－MOS器件与一种沟道结构结合而提供，所述沟道结构包括例如硅的通过SON介电层与大块衬底绝缘的半导体沟道区。在一个实施例中，SON介电层具有包括氧化物—氮化物—氧化物的三层结构，它与下面的半导体衬底形成接触。 | ||
| 申请公布号 | CN101297408A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200680040136.9 | 申请日期 | 2006.08.31 |
| 申请人 | 斯平内克半导体股份有限公司 | 发明人 | J·P·辛恩德 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L29/417(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈炜 |
| 主权项 | 1.一种调整电流流动的器件，所述器件包括：半导体衬底；栅极；半导体沟道区；在所述半导体沟道区和所述半导气衬底之间的绝缘区；以及在所述半导体衬底上的源极和漏极，其中源极和漏极中的至少一个形成与半导体沟道区接触的肖特基或肖特基类触点。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||