| 发明名称 | 栅极制造方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极制造方法，包括：在半导体基底上沉积张应力膜层；去除所述张应力膜层；在所述半导体基底上沉积栅层；刻蚀所述栅层。利用应力记忆工艺，强化半导体基底内的应力类型为压应力，继而在所述已强化应力类型的半导体基底上可形成无根部缺陷的栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN101295641A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200710040258.4 | 申请日期 | 2007.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 黄怡;张海洋;杜珊珊 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1.一种栅极制造方法，包括：在半导体基底上沉积张应力膜层；去除所述张应力膜层；在所述半导体基底上沉积栅层；刻蚀所述栅层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||