| 发明名称 | 薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：提供一基板，并形成一非晶硅层于基板上；用一激光退火照射基板的非晶硅层的部分区域进行侧向长晶，以形成多个多晶硅区域；对基板进行表面氧化层处理；以及对基板实施一全面性激光退火照射。本发明可以提高元件的均匀度，并可消除第二次激光对元件所造成的栅极电压(Vth)偏差效应，亦可增进多晶硅(p－Si)与绝缘层(Insulator)的界面稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN101295679A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200710101060.2 | 申请日期 | 2007.04.26 |
| 申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 施智仁;叶文钧;何明徹;杨文琪 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;陈肖梅 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管的制造方法，包含：(a)提供一基板，形成一非晶硅层于该基板上；(b)于(a)步骤后，用一激光退火照射该基板的该非晶硅层的部分区域进行侧向长晶，以形成多个多晶硅区域；(c)于(b)步骤后，对该基板进行表面氧化层处理；以及(d)于(c)步骤后，对该基板实施一全面性激光退火照射。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县八德市 | ||