| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。蚀刻半导体衬底(10)，形成从半导体衬底(10)到达焊盘电极(12)的通孔(16)。在此，上述蚀刻按使通孔(16)底部的开口直径A比焊盘电极(12)的平面宽度C大这样的蚀刻条件进行。其次，在包括该通孔(16)的半导体衬底(10)的背面上形成在通孔(16)底部使焊盘电极(12)露出的第二绝缘膜(17)。然后，形成与在通孔(16)底部露出的焊盘电极(12)电连接的贯通电极(20)及配线层(21)。进而形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过切割将半导体衬底(10)切断分离为半导体芯片(10A)。 | ||
| 申请公布号 | CN100429770C | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200510118099.6 | 申请日期 | 2005.10.25 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 | 发明人 | 龟山工次郎;铃木彰;梅本光雄 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L23/485(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，具有介由第一绝缘膜形成有焊盘电极的半导体芯片、和从半导体芯片的背面到达该焊盘电极的通孔，所述通孔底部的开口直径比所述焊盘电极的平面的宽度大。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||